0
0
0
Уникальный ассортимент 30 000+ радиотехнических инструментов с доставкой 1-3 дня

Тестер полупроводников / ESR метр (GM328) FNIRSI

Отзывы:
(0)
  • Код товара: 48192
  • Производитель: FNIRSI
  • Наличие: Нет в наличии
Цена для организаций-плательщиков НДС 788.4 грн (С НДС)
Способы оплаты
Минимальный заказ - 500 грн
  • Наличными
  • Карта Visa/Mastercard
  • Наложенный платеж
  • Безналичная оплата на счет (с ПДВ, без ПДВ)
Возврат/Обмен товара
Напротяжении 14 дней с момента покупки
Способы доставки
Бесплатная доставка от 3000 грн для неакционных товаров (только онлайн оплата, на карту)
  • Самовывоз для Киева
  • Доставка службой "Новая Почта"
  • Курьерская доставка “Новая Почта”
Тестер полупроводников, ESR метр. Автоматическая идентификация радиоэлектронных компонентов (резистор, конденсатор, катушка индуктивности, диод, двойной диод, биполярный NPN, PNP транзистор, N- канальный и Р- канальный MOS FET, JFET транзистор, маломощный тиристор, симистор. Внешний вид может быть другой в соответствии с модификацией.
GM328 тестер полупроводников / ESR метр / частотомер / генератор прямоугольных импульсов

 Инструкция пользователя

Перед подключением убедитесь, что на тестируемые элементы не подается напряжение и, в случае тестирования конденсаторов, убедитесь, что они  разряжены! Тестер может быть повреждён и в выключенном состоянии. На схеме тестера не предусмотренна защита.  Если требуется проверить элементы, установленные в схеме, то оборудование следует  отсоединить  от источника питания и все элементы схемы должны быть разряжены.

 Характеристики.
  • Автоматическое определение npn,pnp биполярных транзисторов, N- и P- канальных MOSFET транзисторов, JFET транзисторов, диодов, двойных диодов, тиристоров и симисторов.
  • Автоматическое определение  расположения выводов элемента.
  • Измерение h21 и порогового напряжения база-эмиттер биполярного транзистора.
  • Обнаружение защитного диода в биполярных и MOSFET транзисторах.
  • Измерение порогового напряжения затвора и величины емкости затвора MOSFET.
  • Разрешение измерения сопротивления от 0,01 Ом до 50 Мом.
  • Измерение ESR конденсатора
  • Измерение индуктивности от 0,01 мГн до 20 Гн.
Так же, в прибор встроен:
  • измеритель частоты.
  • частотный генератор (20 МГц, 10 МГц, 500 кГц, 250 кГц, 153,8462 кГц, 100 кГц, 50 кГц, 25 кГц, 10 кГц, 5000 Гц, 2500 Гц, 1000 Гц, 443,0170 Гц, 441,9890 Гц, 439,9956 Гц, 250 Гц, 100 Гц, 50 Гц, 10 Гц, 1000 мГц,),
  • Генератор 10-бит ШИМ сигнала,
  • измеритель емкости и ESR конденсаторов (20пФ..1000мкФ)
  • Порядок измерения.

Автоматическое определение элемента:
  • Подключите элемент к разъемам 1-2-3, обозначенным на схеме 1. (Если у определяемого элемента 3 вывода – подключите их к разъемам 1-2-3, если выводов два – подключение следует произвести к любым двум разъемам (1-2; 2-3; 1-3)).
  • Кратковременно нажмите на кнопку TEST и отпустите ее. На дисплее появится надпись «Testing…» Через несколько секунд на дисплее будет отображена информация по тестируемому элементу.
 
Ручной выбор.

Подключите элемент к разъемам 1-2-3. (Если у определяемого элемента 3 вывода – подключите их к разъемам 1-2-3, если выводов два – подключение следует произвести к любым двум разъемам (1-2; 2-3; 1-3).
.Зажмите кнопку TEST до появления на дисплее надписи SELECTION:
Отпустите кнопку TEST
Последующее кратковременное нажатие на кнопку TEST переключает функции в режиме ручного выбора.
Для выбора отображаемой на дисплее функции следует зажать кнопку TEST.
 
Обозначение меню в режиме ручного выбора:
  • TRANSISTOR – измерение параметров транзисторов
  • FREQUENCY – измерение частоты (подается на разъемы 1-2)
  • f-Genrator – функция частотного генератора (подается на выводы 1-2)
  • 10-bit PWM - Генератор 10-бит ШИМ сигнала
  • C+ESR – измерение емкости и ESR конденсатора
  • Rotary encoder – для проверки Энкодеров.
  • Имя элемента - индикация на дисплее:
  • NPN транзисторы - на дисплее "NPN"
  • PNP транзисторы - на дисплее "PNP"
  • N-канальные-обогащенные MOSFET - на дисплее "N-E-MOS"
  • р~канальные-обогащенные MOSFET - на дисплее "Р-Е-MOS"
  • N-канальные-обедиенные MOSFET - на дисплее "N-D-MOS"
  • Р-канальные-обедненные MOSFET - на дисплее "P-D-MOS"
  • N-канальные JFET - на дисплее "N-JFET"
  • Р-канальные JFET - на дисплее "P-JFET"
  • Тиристоры - на дисплее "Tyrystor"
  • Симисторы - на дисплее "Triak"
  • Диоды - на дисплее "Diode"
  • Двухкатодные сборки диодов - на дисплее "Double diode СК"
  • Двуханодные сборки диодов - на дисплее "Double diode СА"
  • Два последовательно соединенных диода - на дисплее "2 diode series"
  • Диоды симметричные - на дисплее "Diode symmetric"
  • Резисторы
  • Конденсаторы - диапазон от 0,2nF до 1000uF [nF, uF]
  • При измерении сопротивления или емкости устройство не дает высокой точности

Описание дополнительных параметров измерения:
  • Н21е (коэффициент усиления по току) - диапазон до 10000
  • (1-2-3) - порядок подключенных выводов элемента
  • Наличие элементов защиты - диода - "Символ диода"
  • Прямое напряжение - Uf [mV]
  • Напряжение открытия (для MOSFET) - Vt [mV]
  • Емкость затвора (для MOSFET) - С= [nF]
Отзывов (0)

Нет отзывов о данном товаре.